[摘要]20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，地促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。
1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。
20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。
1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。
20世紀(jì)80年代后，電力電子器件再次快速發(fā)展，GTO、MOSFET、IGBT、MCT及SIT等器件相繼出現(xiàn)。感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開始采用這些新器件。現(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場(chǎng)合，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道，國外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過1000kW，頻率超過50kHz。而MOSFET較適用高頻場(chǎng)合，通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合，頻率可達(dá)到500kHz以上，甚至幾兆赫茲。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國研制的2000kW/400kHz的裝置。
我國感應(yīng)熱處理技術(shù)的應(yīng)用始于1956年，從前蘇聯(lián)引入，主要應(yīng)用在汽車工業(yè)。隨著20世紀(jì)電源設(shè)備的制造，感應(yīng)淬火工藝裝備也緊隨其后得到發(fā)展。現(xiàn)在國內(nèi)感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴(kuò)大，產(chǎn)品品種多，原來需要進(jìn)口的裝備，逐步被國產(chǎn)品所取代，在為國家節(jié)省外匯的同時(shí)，發(fā)展了國內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對(duì)象主要是汽車制造業(yè)，今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對(duì)感應(yīng)加熱有較大需求。
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